Thermal conductivity of strained silicon: Molecular dynamics insight and kinetic theory approach - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2019

Thermal conductivity of strained silicon: Molecular dynamics insight and kinetic theory approach

Vasyl Kuryliuk
  • Fonction : Auteur
Taras Shevchenko National University of Kyiv
Oleksii Nepochatyi
  • Fonction : Auteur
Patrice Chantrenne
Centre de Thermique de Lyon
David Lacroix
Laboratoire d'Energétique et Mécanique Théorique et Appliquée
CV
Mykola Isaiev
Taras Shevchenko National University of Kyiv

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Thermique [physics.class-ph]

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https://hal.science/hal-02462008

Soumis le : vendredi 31 janvier 2020-09:06:53

Dernière modification le : mercredi 29 mai 2024-09:48:03

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Dates et versions

hal-02462008 , version 1 (31-01-2020)

Identifiants

Citer

Vasyl Kuryliuk, Oleksii Nepochatyi, Patrice Chantrenne, David Lacroix, Mykola Isaiev. Thermal conductivity of strained silicon: Molecular dynamics insight and kinetic theory approach. Journal of Applied Physics, 2019, 126 (5), pp.055109. ⟨10.1063/1.5108780⟩. ⟨hal-02462008⟩

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