Phonon transport in silicon, influence of the dispersion properties choice on the description of the anharmonic resistive mechanisms - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue The European Physical Journal B: Condensed Matter and Complex Systems Année : 2009

Phonon transport in silicon, influence of the dispersion properties choice on the description of the anharmonic resistive mechanisms

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Thermique [physics.class-ph]

David LACROIX  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02461584

Soumis le : jeudi 30 janvier 2020-17:24:35

Dernière modification le : lundi 15 avril 2024-18:20:02

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Dates et versions

hal-02461584 , version 1 (30-01-2020)

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Citer

David Lacroix, I. Traore, S. Fumeron, G. Jeandel. Phonon transport in silicon, influence of the dispersion properties choice on the description of the anharmonic resistive mechanisms. The European Physical Journal B: Condensed Matter and Complex Systems, 2009, 67 (1), pp.15-25. ⟨10.1140/epjb/e2008-00464-6⟩. ⟨hal-02461584⟩

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