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Communication Dans Un Congrès Année : 2019

[Invited] Modelling and Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications Modeling and characterization of HBT in THz range

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02453238 , version 1 (23-01-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02453238 , version 1

Citer

Thomas Zimmer, Marina Deng, Mukherjee Chhandak, Cristell Maneux, Sebastien Fregonese. [Invited] Modelling and Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors for THz Applications Modeling and characterization of HBT in THz range. XXth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices: IWPSD 2019, Dec 2019, Kolkata, India. ⟨hal-02453238⟩
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