Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2007
Arnaud Bournel : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02452609
Soumis le : jeudi 23 janvier 2020-15:26:41
Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-10:46:45
Citer
A. Bournel, V. Aubry-Fortuna, J. Saint-Martin, P. Dollfus. Device performance and optimization of decananometer long double gate MOSFET by Monte Carlo simulation. Solid-State Electronics, 2007, 51 (4), pp.543-550. ⟨10.1016/j.sse.2007.02.010⟩. ⟨hal-02452609⟩
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