Silicon carbide power MOSFETs under neutron irradiation: Failure In Time demonstration and long term reliability degradation evaluation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Silicon carbide power MOSFETs under neutron irradiation: Failure In Time demonstration and long term reliability degradation evaluation

K. Niskanen
S. Morand
  • Fonction : Auteur
F. Saigné

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02446823 , version 1 (21-01-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02446823 , version 1

Citer

K. Niskanen, Antoine Touboul, Rosine Coq Germanicus, A. Michez, Frédéric Wrobel, et al.. Silicon carbide power MOSFETs under neutron irradiation: Failure In Time demonstration and long term reliability degradation evaluation. 55th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference, Jul 2019, San Antonio, United States. ⟨hal-02446823⟩
77 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More