Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2020

Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits

S. Besendörfer
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E. Meissner
  • Fonction : Auteur
A. Tajalli
  • Fonction : Auteur
M. Meneghini
  • Fonction : Auteur
Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione [Padova]
J. Freitas
  • Fonction : Auteur
J. Derluyn
  • Fonction : Auteur
F Medjdoub
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN
G. Meneghesso
  • Fonction : Auteur
Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione [Padova]
J. Friedrich
  • Fonction : Auteur
T. Erlbacher
  • Fonction : Auteur

Résumé

Methodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devices

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Soumis le : mardi 1 décembre 2020-14:51:49

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

Archivage à long terme le : mardi 2 mars 2021-19:34:25

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hal-02429980 , version 1 (01-12-2020)

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Citer

S. Besendörfer, E. Meissner, A. Tajalli, M. Meneghini, J. Freitas, et al.. Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits. Journal of Applied Physics, 2020, 127 (1), pp.015701. ⟨10.1063/1.5129248⟩. ⟨hal-02429980⟩

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