Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2020

Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits

Résumé

Methodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devices
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Dates et versions

hal-02429980 , version 1 (01-12-2020)

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Citer

S. Besendörfer, E. Meissner, A. Tajalli, M. Meneghini, J. Freitas, et al.. Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits. Journal of Applied Physics, 2020, 127 (1), pp.015701. ⟨10.1063/1.5129248⟩. ⟨hal-02429980⟩
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