[Invited] 3D patterning of Si by contact etchning: contribution of the band bending modeling - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

[Invited] 3D patterning of Si by contact etchning: contribution of the band bending modeling

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02418947 , version 1 (19-12-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02418947 , version 1

Citer

Sylvain Le Gall, Raphaël Lachaume, Encarnacion Torralba, Christine Cachet-Vivier, Stéphane Bastide, et al.. [Invited] 3D patterning of Si by contact etchning: contribution of the band bending modeling. Semi-Conducteurs et Oxydes Poreux, 5ème journée (SCOPE 2019), Jun 2019, Thiais, France. ⟨hal-02418947⟩
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