Redistribution of phosphorus during NiPtSi formation on in-situ doped Si - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2018

Redistribution of phosphorus during NiPtSi formation on in-situ doped Si

Domaines

Matériaux

Dominique Mangelinck  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02403309

Soumis le : mardi 10 décembre 2019-18:20:23

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02403309 , version 1 (10-12-2019)

Identifiants

Citer

M. Lemang, Ph. Rodriguez, M. Gregoire, M. Juhel, B. Saidi, et al.. Redistribution of phosphorus during NiPtSi formation on in-situ doped Si. Microelectronic Engineering, 2018, 202, pp.25-30. ⟨10.1016/j.mee.2018.10.005⟩. ⟨hal-02403309⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UNIV-TLN CNRS UNIV-AMU IM2NP DRT LETI CEA-GRE ANR
61 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More