Croissance 3D de nanofils de silicium par procédé SLS à basse température (250°C) - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Croissance 3D de nanofils de silicium par procédé SLS à basse température (250°C)

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Anne-Claire Salaün  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02401810

Soumis le : mardi 10 décembre 2019-11:06:45

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:14

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02401810 , version 1 (10-12-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02401810 , version 1

Citer

K. Yang, N. Coulon, Anne-Claire Salaün, Laurent Pichon. Croissance 3D de nanofils de silicium par procédé SLS à basse température (250°C). Journées Nationales des Nanofils Semiconducteurs, Nov 2019, Lyon, France. ⟨hal-02401810⟩

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