Rapid thermal annealing and modulation-doping effects on InAs/GaAs quantum dots photoluminescence dependence on excitation power - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physica B: Condensed Matter Année : 2016

Rapid thermal annealing and modulation-doping effects on InAs/GaAs quantum dots photoluminescence dependence on excitation power

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Physique [physics]

Christophe Testelin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02390124

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hal-02390124 , version 1 (02-12-2019)

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Citer

W. Chaabani, Adel Mellit, M.A. Maaref, C. Testelin, A. Lemaitre. Rapid thermal annealing and modulation-doping effects on InAs/GaAs quantum dots photoluminescence dependence on excitation power. Physica B: Condensed Matter, 2016, 493, pp.53-57. ⟨10.1016/j.physb.2016.04.025⟩. ⟨hal-02390124⟩

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