Effects of thickness layer on the photoluminescence properties of InAlAs/GaAlAs quantum dots
A. Ben Daly
,
Frédéric Bernardot
(1)
,
T. Barisien
(1)
,
E. Galopin
(2)
,
A. Lemaitre
(3)
,
M. Maaref
(4)
,
C. Testelin
(5, 6, 7)
1
INSP -
Institut des Nanosciences de Paris
2 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
3 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
4 Unité de Recherche en Physique des Semiconducteurs et Capteurs
5 INSP - Institut des Nanosciences de Paris
6 INSP-E12 - Photonique et cohérence de spin
7 INSP-E1 - Nanostructures et systèmes quantiques
2 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
3 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
4 Unité de Recherche en Physique des Semiconducteurs et Capteurs
5 INSP - Institut des Nanosciences de Paris
6 INSP-E12 - Photonique et cohérence de spin
7 INSP-E1 - Nanostructures et systèmes quantiques
A. Ben Daly
- Fonction : Auteur
E. Galopin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739403
- IdHAL : elisabeth-galopin
- ORCID : 0000-0003-2608-054X
- IdRef : 122149181
A. Lemaitre
- Fonction : Auteur
- PersonId : 178996
- IdHAL : aristide-lemaitre
- ORCID : 0000-0003-1892-9726
- IdRef : 089290445
C. Testelin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 742078
- IdHAL : christophe-testelin
- ORCID : 0000-0002-1604-8071
- IdRef : 067726682