Neutral, charged excitons and biexcitons in strain-free and asymmetric GaAs quantum dots fabricated by local droplet etching - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Luminescence Année : 2018

Neutral, charged excitons and biexcitons in strain-free and asymmetric GaAs quantum dots fabricated by local droplet etching

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Z. Trabelsi, M. Yahyaoui, S. Ben Radhia, K. Boujdaria, E. Zallo, et al.. Neutral, charged excitons and biexcitons in strain-free and asymmetric GaAs quantum dots fabricated by local droplet etching. Journal of Luminescence, 2018, 197, pp.47-55. ⟨10.1016/j.jlumin.2018.01.012⟩. ⟨hal-02390097⟩

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