Article Dans Une Revue
Journal of Electronic Materials
Année : 2018
Abdelilah Slaoui : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02389943
Soumis le : lundi 2 décembre 2019-17:25:25
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03
Citer
T. Torchynska, L. Khomenkova, A. Slaoui. Modification of Light Emission in Si-Rich Silicon Nitride Films Versus Stoichiometry and Excitation Light Energy. Journal of Electronic Materials, 2018, 47 (7), pp.3927-3933. ⟨10.1007/s11664-018-6271-0⟩. ⟨hal-02389943⟩
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