Beyond 100 GHz: High frequency device characterization for THz applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Beyond 100 GHz: High frequency device characterization for THz applications

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Zimmer_MOS-AK_Hanngzhou_2017.pdf (5.14 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02379050

Soumis le : lundi 25 novembre 2019-14:59:35

Dernière modification le : vendredi 18 octobre 2024-11:16:01

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-02379050 , version 1 (25-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02379050 , version 1

Citer

S. Fregonese, M Deng, M Potereau, M. de Matos, T. Zimmer. Beyond 100 GHz: High frequency device characterization for THz applications. Conférence invitée, 2nd Sino MOS-AK Workshop, Jun 2017, Hangzhou, China. ⟨hal-02379050⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS IMS-BORDEAUX NANOELECTRONIQUE IMS-BORDEAUX-FUSION
23 Consultations
12 Téléchargements

Partager

More