Comparative study of ionic bombardment and heat treatment on the electrical behavior of Au/GaN/n-GaAs Schottky diodes - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Superlattices and Microstructures Année : 2019

Comparative study of ionic bombardment and heat treatment on the electrical behavior of Au/GaN/n-GaAs Schottky diodes

Hicham Helal
Zineb Benamara
  • Fonction : Auteur
Arslane Hatem Kacha
  • Fonction : Auteur
Mohammed Amrani
  • Fonction : Auteur
Abdelaziz Rabehi
Boudali Akkal
  • Fonction : Auteur
Guillaume Monier
Institut Pascal
Christine Robert-Goumet
Institut Pascal

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-02366121

Soumis le : vendredi 15 novembre 2019-16:45:31

Dernière modification le : samedi 22 avril 2023-04:24:23

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hal-02366121 , version 1 (15-11-2019)

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Citer

Hicham Helal, Zineb Benamara, Arslane Hatem Kacha, Mohammed Amrani, Abdelaziz Rabehi, et al.. Comparative study of ionic bombardment and heat treatment on the electrical behavior of Au/GaN/n-GaAs Schottky diodes. Superlattices and Microstructures, 2019, 135, pp.106276. ⟨10.1016/j.spmi.2019.106276⟩. ⟨hal-02366121⟩

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