AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Ultra -Wide Bandgap AlN buffer - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Ultra -Wide Bandgap AlN buffer

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02356886

Soumis le : samedi 9 novembre 2019-10:32:58

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:36:03

Archivage à long terme le : lundi 10 février 2020-16:21:42

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Dates et versions

hal-02356886 , version 1 (09-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02356886 , version 1

Citer

Idriss Abid, Riad Kabouche, Malek Zegaoui, C. Bougerol, Rémi Comyn, et al.. AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Ultra -Wide Bandgap AlN buffer. 43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, Cabourg, France. ⟨hal-02356886⟩

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