Degradation processes and origin in InGaN-based high-power photodetectors - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Degradation processes and origin in InGaN-based high-power photodetectors

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02356755

Soumis le : vendredi 8 novembre 2019-23:25:52

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Dates et versions

hal-02356755 , version 1 (08-11-2019)

Identifiants

Citer

Carlo de Santi, Matteo Meneghini, Alessandro Caria, Ezgi Dogmus, Malek Zegaoui, et al.. Degradation processes and origin in InGaN-based high-power photodetectors. Gallium Nitride Materials and Devices XIII, Jan 2018, San Francisco, United States. pp.54, ⟨10.1117/12.2289466⟩. ⟨hal-02356755⟩

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