Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
High performance WTe
Marco Pala : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02351006
Soumis le : mercredi 6 novembre 2019-11:24:24
Dernière modification le : jeudi 30 novembre 2023-03:58:40
Citer
Marco G. Pala, Jean Choukroun, Shiang Fang, Efthimios Kaxiras, Philippe Dollfus. High performance WTe2 -MoS2 in-plane heterojunction Tunnel Field Effect Transistors. 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018), Sep 2018, Dresden, France. pp.42-45, ⟨10.1109/ESSDERC.2018.8486869⟩. ⟨hal-02351006⟩
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