High performance WTe<inf>2</inf>-MoS<inf>2</inf>in-plane heterojunction Tunnel Field Effect Transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02351006 , version 1 (06-11-2019)

Identifiants

Citer

Marco G. Pala, Jean Choukroun, Shiang Fang, Efthimios Kaxiras, Philippe Dollfus. High performance WTe2-MoS2in-plane heterojunction Tunnel Field Effect Transistors. 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018), Sep 2018, Dresden, France. pp.42-45, ⟨10.1109/ESSDERC.2018.8486869⟩. ⟨hal-02351006⟩
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