High performance tunnel field effect transistors based on in-plane transition metal dichalcogenide heterojunctions
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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| Licence |
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Soumis le : mercredi 16 décembre 2020-17:35:59
Dernière modification le : vendredi 17 mai 2024-14:38:06
Archivage à long terme le : mercredi 17 mars 2021-19:54:55