Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2019

A Steep-Slope MoS 2 -Nanoribbon MOSFET Based on an Intrinsic Cold-Contact Effect

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hal-02350929 , version 1 (17-12-2020)

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Demetrio Logoteta, Marco Pala, Jean Choukroun, Philippe Dollfus, Giuseppe Iannaccone. A Steep-Slope MoS 2 -Nanoribbon MOSFET Based on an Intrinsic Cold-Contact Effect. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40 (9), pp.1550-1553. ⟨10.1109/LED.2019.2928131⟩. ⟨hal-02350929⟩
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