Electrical Characterization of Delta Doped Gallium Arsenide - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue MRS Proceedings Année : 1994

Electrical Characterization of Delta Doped Gallium Arsenide

Caracterisation d'AsGa à plans de dopage

S. Arscott
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
M. Missous
  • Fonction : Auteur
L. Dobaczewski
  • Fonction : Auteur
Institute of Physics [Warsaw]
P. Harness
  • Fonction : Auteur
Duncan Kennedy Maude
  • Fonction : Auteur
J. Portal
  • Fonction : Auteur

Résumé

Electrical Characterization of Delta Doped Gallium Arsenide
Caracterisation d'AsGa à plans de dopage

Mots clés

GaAs DX centre
AsGa Piège DX

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Stephen Arscott  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02348216

Soumis le : mardi 5 novembre 2019-12:51:26

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02348216 , version 1 (05-11-2019)

Identifiants

Citer

S. Arscott, M. Missous, L. Dobaczewski, P. Harness, Duncan Kennedy Maude, et al.. Electrical Characterization of Delta Doped Gallium Arsenide. MRS Proceedings, 1994, 281, ⟨10.1557/PROC-281-19⟩. ⟨hal-02348216⟩

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