Terahertz frequency difference from vertically integrated low-temperature-grown GaAs photodetector - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2002

Terahertz frequency difference from vertically integrated low-temperature-grown GaAs photodetector

Emilien Peytavit
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
S. Arscott
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
D. Lippens
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
G. Mouret
Laboratoire des Sciences du Génie Chimique
S. Matton
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère
P. Masselin
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère
R. Bocquet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1196820
  • IdRef : 096652578
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère
Jean-Francois Lampin
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
L. Desplanque
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
F. Mollot
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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Soumis le : mardi 5 novembre 2019-12:03:33

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Citer

Emilien Peytavit, S. Arscott, D. Lippens, G. Mouret, S. Matton, et al.. Terahertz frequency difference from vertically integrated low-temperature-grown GaAs photodetector. Applied Physics Letters, 2002, 81 (7), pp.1174-1176. ⟨10.1063/1.1499517⟩. ⟨hal-02347924⟩

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