Surface recombination in doped semiconductors: Effect of light excitation power and of surface passivation - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2013

Surface recombination in doped semiconductors: Effect of light excitation power and of surface passivation

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Citer

Fabian Cadiz, D. Paget, A. Rowe, V. Berkovits, V. Ulin, et al.. Surface recombination in doped semiconductors: Effect of light excitation power and of surface passivation. Journal of Applied Physics, 2013, 114 (10), pp.103711. ⟨10.1063/1.4821139⟩. ⟨hal-02345653⟩

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