Study of GaN layer crystallization on GaAs(100) using electron cyclotron resonance or glow discharge N2 plasma sources for the nitriding process
Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Soumis le : mercredi 20 juillet 2022-13:40:58
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:37
Archivage à long terme le : vendredi 21 octobre 2022-19:42:51