Post-porosity Plasma protection (P4): a promising strategy against v-UV damage in porous, low-k materials - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Post-porosity Plasma protection (P4): a promising strategy against v-UV damage in porous, low-k materials

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Maxime Darnon  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02339977

Soumis le : mercredi 30 octobre 2019-15:49:51

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02339977 , version 1 (30-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02339977 , version 1

Citer

Kristel Lionti, Willy Volksen, Maxime Darnon, Teddy Magbitang, Geraud Dubois. Post-porosity Plasma protection (P4): a promising strategy against v-UV damage in porous, low-k materials. Plasma Etch and Strip in Microtechnologies conference, May 2015, Leuven, Belgium. ⟨hal-02339977⟩

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