Structural and electronic properties of a -edge dislocations along ⟨1-100⟩ in GaN - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2018

Structural and electronic properties of a -edge dislocations along ⟨1-100⟩ in GaN

Domaines

Matériaux Cristallographie Physique [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Marie-Pierre Chauvat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02339881

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hal-02339881 , version 1 (30-10-2019)

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Citer

S. Giaremis, Ph. Komninou, I. Belabbas, J. Chen, J. Kioseoglou. Structural and electronic properties of a -edge dislocations along ⟨1-100⟩ in GaN. Journal of Applied Physics, 2018, 123 (24), pp.244301. ⟨10.1063/1.5034198⟩. ⟨hal-02339881⟩

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