Strain-mediated all-magnetoelectric memory cell - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Strain-mediated all-magnetoelectric memory cell

L. Krutyansky
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02338915 , version 1 (30-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02338915 , version 1

Citer

Vladimir Preobrazhensky, L. Krutyansky, Nicolas Tiercelin, Yannick Dusch, Philippe Pernod, et al.. Strain-mediated all-magnetoelectric memory cell. 4th International Nanotech and Nanoscience joint International Conferences and Exhibition, Nanotech France 2018, NanoMatEn 2018, NanoMetrology 2018, Jun 2018, Paris, France. ⟨hal-02338915⟩
26 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More