The critical role of N-vacancy on chemical composition fluctuations and degradation of InAlN layer - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2019

The critical role of N-vacancy on chemical composition fluctuations and degradation of InAlN layer

Domaines

Matériaux Cristallographie Physique [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

Marie-Pierre Chauvat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02335333

Soumis le : lundi 28 octobre 2019-11:23:30

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03

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Dates et versions

hal-02335333 , version 1 (28-10-2019)

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Citer

Ranim Mohamad, Marie Pierre Chauvat, Slawomir Kret, Piero Gamarra, Sylvain Delage, et al.. The critical role of N-vacancy on chemical composition fluctuations and degradation of InAlN layer. Journal of Applied Physics, 2019, 125 (21), pp.215707. ⟨10.1063/1.5088109⟩. ⟨hal-02335333⟩

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