Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2019

Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD

P. Chauhan
  • Fonction : Auteur
S. Hasenöhrl
  • Fonction : Auteur
E. Dobročka
  • Fonction : Auteur
M.P. Chauvat
A. Minj
  • Fonction : Auteur
F. Gucmann
  • Fonction : Auteur
Ľ. Vančo
  • Fonction : Auteur
J. Kováč
  • Fonction : Auteur
S. Kret
  • Fonction : Auteur
M. Kuball
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 842475
P. Šiffalovič
  • Fonction : Auteur
J. Kuzmik
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 847911

Dates et versions

hal-02335264 , version 1 (28-10-2019)

Identifiants

Citer

P. Chauhan, S. Hasenöhrl, E. Dobročka, M.P. Chauvat, A. Minj, et al.. Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD. Journal of Applied Physics, 2019, 125 (10), pp.105304. ⟨10.1063/1.5079756⟩. ⟨hal-02335264⟩
40 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More