Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2019
Marie-Pierre Chauvat : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02335264
Soumis le : lundi 28 octobre 2019-11:09:39
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03
Citer
P. Chauhan, S. Hasenöhrl, E. Dobročka, M.P. Chauvat, A. Minj, et al.. Evidence of relationship between strain and In-incorporation: Growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD. Journal of Applied Physics, 2019, 125 (10), pp.105304. ⟨10.1063/1.5079756⟩. ⟨hal-02335264⟩
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