Physically based Diagonal Treatment of Polar Optical Phonons Self-Energy: Performance Assessment of III-V Double-Gate Transistors - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physical Review Applied Année : 2018

Physically based Diagonal Treatment of Polar Optical Phonons Self-Energy: Performance Assessment of III-V Double-Gate Transistors

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique [cond-mat.mes-hall]
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hal-02331931 , version 1 (07-01-2022)

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Citer

Manel Moussavou, Michel Lannoo, Nicolas Cavassilas, Demetrio Logoteta, Marc Bescond. Physically based Diagonal Treatment of Polar Optical Phonons Self-Energy: Performance Assessment of III-V Double-Gate Transistors. Physical Review Applied, 2018, 10 (6), ⟨10.1103/PhysRevApplied.10.064023⟩. ⟨hal-02331931⟩

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