Article Dans Une Revue
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Année : 2018
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https://hal.science/hal-02324900
Soumis le : mardi 22 octobre 2019-10:05:28
Dernière modification le : mardi 24 février 2026-03:23:41
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02324900 , version 1
- ARXIV : 1805.09030
- DOI : 10.1103/PhysRevB.98.045305
Citer
W. Hahn, J.-M. Lentali, P. Polovodov, N. Young, S. Nakamura, et al.. Evidence of nanoscale Anderson localization induced by intrinsic compositional disorder in InGaN/GaN quantum wells by scanning tunneling luminescence spectroscopy. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2018, 98 (4), ⟨10.1103/PhysRevB.98.045305⟩. ⟨hal-02324900⟩
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