Evidence of nanoscale Anderson localization induced by intrinsic compositional disorder in InGaN/GaN quantum wells by scanning tunneling luminescence spectroscopy - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2018

Evidence of nanoscale Anderson localization induced by intrinsic compositional disorder in InGaN/GaN quantum wells by scanning tunneling luminescence spectroscopy

W. Hahn
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J.-M. Lentali
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P. Polovodov
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N. Young
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S. Nakamura
J. Speck
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Institut Pluridisciplinaire Hubert Curien
C. Weisbuch
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Genewave
Marcel Filoche
Laboratoire de physique de la matière condensée
Y.-R. Wu
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M. Piccardo
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F. Maroun
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Laboratoire de physique de la matière condensée
L. Martinelli
Laboratoire de physique de la matière condensée
CV
Y. Lassailly
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Laboratoire de physique de la matière condensée
J. Peretti
Laboratoire de physique de la matière condensée
CV

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Systèmes désordonnés et réseaux de neurones [cond-mat.dis-nn] Matière Molle [cond-mat.soft] Pneumologie et système respiratoire Optique / photonique

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Soumis le : mardi 22 octobre 2019-10:05:28

Dernière modification le : jeudi 1 août 2024-13:48:05

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Dates et versions

hal-02324900 , version 1 (22-10-2019)

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Citer

W. Hahn, J.-M. Lentali, P. Polovodov, N. Young, S. Nakamura, et al.. Evidence of nanoscale Anderson localization induced by intrinsic compositional disorder in InGaN/GaN quantum wells by scanning tunneling luminescence spectroscopy. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2018, 98 (4), ⟨10.1103/PhysRevB.98.045305⟩. ⟨hal-02324900⟩

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