Refractive index engineering inside silicon by infrared laser pulses of different pulse durations in the picosecond regime - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue OSA Technical Digest (Optical Society of America) Année : 2019

Refractive index engineering inside silicon by infrared laser pulses of different pulse durations in the picosecond regime

Andong Wang
  • Fonction : Auteur
Amlan Das
  • Fonction : Auteur
Olivier Uteza
Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques
D. Grojo
Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques
CV

Résumé

We report on the refractive index engineering inside silicon bulk by picosecond infrared lasers. Different responses are observed depending on the pulse durations. This represents a critical step for prototyping 3D silicon photonics microdevices.

Domaines

Optique [physics.optics]
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https://hal.science/hal-02323418

Soumis le : lundi 24 février 2020-12:09:09

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:15

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Dates et versions

hal-02323418 , version 1 (24-02-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02323418 , version 1

Citer

Andong Wang, Amlan Das, Olivier Uteza, D. Grojo. Refractive index engineering inside silicon by infrared laser pulses of different pulse durations in the picosecond regime. OSA Technical Digest (Optical Society of America), 2019, paper ITh1A.5. ⟨hal-02323418⟩

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