New prospects on high on-current and steep subthreshold slope for innovative Tunnel FET architectures
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2019
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https://hal.science/hal-02321885
Soumis le : lundi 25 octobre 2021-11:26:57
Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-18:17:21
Archivage à long terme le : mercredi 26 janvier 2022-19:26:19
Dates et versions
Licence
Identifiants
- HAL Id : hal-02321885 , version 1
- DOI : 10.1016/j.sse.2019.03.046
- PII : S0038-1101(19)30157-1
Citer
C. Diaz Llorente, J.-P. Colinge, S. Martinie, S. Cristoloveanu, J. Wan, et al.. New prospects on high on-current and steep subthreshold slope for innovative Tunnel FET architectures. Solid-State Electronics, 2019, 159, pp.26-37. ⟨10.1016/j.sse.2019.03.046⟩. ⟨hal-02321885⟩
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