Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
UMI3463 LN2 : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02320610
Soumis le : vendredi 18 octobre 2019-21:43:30
Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02320610 , version 1
Citer
G Ben Assayag, Caroline Bonafos, B Pecassou, D. Drouin, S. Ecoffey, et al.. Innovative OxRAMnanomemories with indium oxide nanocrystals fabricated by ultra low energy ionimplantation. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS, May 2017, Strsbourg, France. ⟨hal-02320610⟩
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