Toward 3D integrationof self-assembled horizontal Si and SiGe nanowires on CMOS chip. - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Toward 3D integrationof self-assembled horizontal Si and SiGe nanowires on CMOS chip.

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

UMI3463 LN2  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02320609

Soumis le : vendredi 18 octobre 2019-21:40:39

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02320609 , version 1 (18-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02320609 , version 1

Citer

M. Merhej, T. Honegger, S. Ecoffey, F. Bassani, T. Baron, et al.. Toward 3D integrationof self-assembled horizontal Si and SiGe nanowires on CMOS chip.. European Materials Research Society Fall Meeting, E-MRS, Sep 2017, Warsaw, Poland. ⟨hal-02320609⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS INSA-LYON EC-LYON LTM NANOMATERIALS LN2 INSA-GROUPE UDL LN2-ELEC
30 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More