Observation of Highly Nonlinear Resistive Switching of Al2O3/TiO2-based Memristors at Cryogenic Temperature (1.5 K) - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Observation of Highly Nonlinear Resistive Switching of Al2O3/TiO2-based Memristors at Cryogenic Temperature (1.5 K)

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02320603

Soumis le : vendredi 18 octobre 2019-21:16:44

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:40:22

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02320603 , version 1 (18-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02320603 , version 1

Citer

Y. Beilliard, F Paquette, F Brousseau, S. Ecoffey, F. Alibart, et al.. Observation of Highly Nonlinear Resistive Switching of Al2O3/TiO2-based Memristors at Cryogenic Temperature (1.5 K). IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conferences NMDC, Oct 2019, Stockholm, Sweden. ⟨hal-02320603⟩

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