High temperature oxidation of SiC under helium with low-pressure oxygen. Part 2: CVD β-SiC - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of the European Ceramic Society Année : 2010

High temperature oxidation of SiC under helium with low-pressure oxygen. Part 2: CVD β-SiC

Domaines

Matériaux Milieux fluides et réactifs

Ludovic Charpentier  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02313728

Soumis le : vendredi 11 octobre 2019-14:54:05

Dernière modification le : vendredi 18 octobre 2024-13:44:03

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Dates et versions

hal-02313728 , version 1 (11-10-2019)

Identifiants

Citer

L. Charpentier, M. Balat-Pichelin, Hervé Glénat, Eric Bêche, E. Laborde, et al.. High temperature oxidation of SiC under helium with low-pressure oxygen. Part 2: CVD β-SiC. Journal of the European Ceramic Society, 2010, 30 (12), pp.2661-2670. ⟨10.1016/j.jeurceramsoc.2010.04.031⟩. ⟨hal-02313728⟩

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