Cryo atomic layer etching of SiO 2 by C F8 physisorption followed by Ar plasma - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2019

Cryo atomic layer etching of SiO 2 by C F8 physisorption followed by Ar plasma

Gaelle Antoun
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Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
Philippe Lefaucheux
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Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
Thomas Tillocher
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
CV
Rémi Dussart
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
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Tokyo Electron
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Kaoru Maekawa
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TEL Technology Center, America, LLC

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique Plasmas Génie des procédés

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Soumis le : vendredi 11 octobre 2019-06:31:33

Dernière modification le : mercredi 6 novembre 2024-15:56:02

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Dates et versions

hal-02311503 , version 1 (11-10-2019)

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Citer

Gaelle Antoun, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Rémi Dussart, Kumiko Yamazaki, et al.. Cryo atomic layer etching of SiO 2 by C F8 physisorption followed by Ar plasma. Applied Physics Letters, 2019, 115 (15), pp.153109. ⟨10.1063/1.5119033⟩. ⟨hal-02311503⟩

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