Gallium Nitride (GaN) for high power applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02310133 , version 1 (09-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02310133 , version 1

Citer

Maher, Hassan. Gallium Nitride (GaN) for high power applications. Global Nanotechnology Congress and Expo: NanoTec2016, Apr 2016, Dubai, United Arab Emirates. ⟨hal-02310133⟩
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