GaN-HEMT Devices for High-Power Applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02310130 , version 1 (09-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02310130 , version 1

Citer

Maher, Hassan. GaN-HEMT Devices for High-Power Applications. CMOS Emerging Technologies, May 2016, Montreal, Canada. ⟨hal-02310130⟩
11 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More