Fabrication Process of GaN-HEMT Based Technology - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02310129 , version 1 (09-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02310129 , version 1

Citer

Maher, Hassan. Fabrication Process of GaN-HEMT Based Technology. World Congress of Nano Science and Technology (Nano-S&T), Oct 2016, Singapour, Singapore. ⟨hal-02310129⟩
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