Communication Dans Un Congrès
Année : 2016
UMI3463 LN2 : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02310129
Soumis le : mercredi 9 octobre 2019-20:38:31
Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02310129 , version 1
Citer
Maher, Hassan. Fabrication Process of GaN-HEMT Based Technology. World Congress of Nano Science and Technology (Nano-S&T), Oct 2016, Singapour, Singapore. ⟨hal-02310129⟩
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