Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Ultra-Thin Al0.45GaN0.55N Barrier and PECVDSiOx as Gate Insulator - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Ultra-Thin Al0.45GaN0.55N Barrier and PECVDSiOx as Gate Insulator

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

UMI3463 LN2  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02310128

Soumis le : mercredi 9 octobre 2019-20:35:19

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02310128 , version 1 (09-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02310128 , version 1

Citer

Ahmed Chakroun, Abdelatif Jaouad, Meriem Bouchilaoun, Osvaldo Arenas, Ali Soltani, et al.. Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Ultra-Thin Al0.45GaN0.55N Barrier and PECVDSiOx as Gate Insulator. International Workshop on Nitride Semiconductors (IWM2016), Oct 2016, Orlando, United States. ⟨hal-02310128⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UGA CNRS UNIV-VALENCIENNES INSA-LYON EC-LYON IEMN UNIV-LILLE LN2 INSA-GROUPE UDL LN2-NRJ
27 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More