Large Periphery GaN HEMTs Modeling Using Distributed Gate Resistance - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Large Periphery GaN HEMTs Modeling Using Distributed Gate Resistance

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02310052 , version 1 (09-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02310052 , version 1

Citer

Bilal Hassan, Adrien Cutivet, Ali Soltani, Christophe Rodriguez, François Boone, et al.. Large Periphery GaN HEMTs Modeling Using Distributed Gate Resistance. The coumpoud semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States. ⟨hal-02310052⟩
18 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More