Scaling of GaN HEMTs Thermal Transient Characteristics - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Scaling of GaN HEMTs Thermal Transient Characteristics

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02310050 , version 1 (09-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02310050 , version 1

Citer

Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Bilal Hassan, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, et al.. Scaling of GaN HEMTs Thermal Transient Characteristics. The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States. ⟨hal-02310050⟩
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