Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
UMI3463 LN2 : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02310044
Soumis le : mercredi 9 octobre 2019-18:14:23
Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02310044 , version 1
Citer
Meriem Bouchilaoun, Ali Soltani, Christophe Rodriguez, Abdelatif Jaouad, Hassan Maher. Normally-OFF GaN HEMT Fabrication Using Soft and Selective Etching of the Si3N4 Cap Layer. The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States. ⟨hal-02310044⟩
Collections
39
Consultations
0
Téléchargements