Transport mechanisms in a puckered graphene-on-lattice
T. Xu
(1)
,
A. Díaz Álvarez
(2, 3)
,
W. Wei
(2, 4)
,
D. Eschimese
(2, 3)
,
Sophie Eliet
(2)
,
O. Lancry
(5)
,
Elisabeth Galopin
(2, 6)
,
Francois Vaurette
(2, 6)
,
Maxime Berthe
(2)
,
D. Deresmes
(2)
,
B. Wei
(7)
,
J. Xu
(2)
,
Jean-Francois Lampin
(2, 8)
,
Emiliano Pallecchi
(2, 4)
,
Henri Happy
(2, 4)
,
D. Vignaud
(2, 9)
,
B. Grandidier
(2, 3)
1
Shanghai University
2 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
3 PHYSIQUE - IEMN - Physique - IEMN
4 CARBON - IEMN - Carbon - IEMN
5 LASIRE - Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516
6 CMNF - IEMN - Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN
7 NPU - Northernwest Polytechnical University [Xi'an]
8 PHOTONIQUE THZ - IEMN - Photonique THz - IEMN
9 EPIPHY - IEMN - EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
2 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
3 PHYSIQUE - IEMN - Physique - IEMN
4 CARBON - IEMN - Carbon - IEMN
5 LASIRE - Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516
6 CMNF - IEMN - Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN
7 NPU - Northernwest Polytechnical University [Xi'an]
8 PHOTONIQUE THZ - IEMN - Photonique THz - IEMN
9 EPIPHY - IEMN - EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
Sophie Eliet
- Fonction : Auteur
- PersonId : 738866
- IdHAL : sophie-eliet
- ORCID : 0000-0001-8289-1473
- IdRef : 176761209
Elisabeth Galopin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739403
- IdHAL : elisabeth-galopin
- ORCID : 0000-0003-2608-054X
- IdRef : 122149181
Francois Vaurette
- Fonction : Auteur
- PersonId : 743128
- IdHAL : francois-vaurette
- ORCID : 0000-0002-6850-0242
- IdRef : 123805848
Maxime Berthe
- Fonction : Auteur
- PersonId : 744929
- IdHAL : maxime-berthe
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- IdRef : 121162656
D. Deresmes
- Fonction : Auteur
- PersonId : 747609
- IdHAL : dominique-deresmes
- ORCID : 0000-0002-4238-3842
Jean-Francois Lampin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 742765
- IdHAL : jean-francois-lampin
- ORCID : 0000-0001-8309-8178
- IdRef : 119595680
Emiliano Pallecchi
- Fonction : Auteur
- PersonId : 746791
- IdHAL : emiliano-pallecchi
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Henri Happy
- Fonction : Auteur
- PersonId : 748086
- IdHAL : henri-happy
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D. Vignaud
- Fonction : Auteur
- PersonId : 738856
- IdHAL : dominique-vignaud
- ORCID : 0000-0002-4863-7858
- IdRef : 128829885
B. Grandidier
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- Fonction : Auteur correspondant
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- IdHAL : bruno-grandidier
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- IdRef : 084580135
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Résumé
Understanding the fundamental properties of graphene when its topography is patterned by the use of a compliant substrate is essential to improve the performances of graphene sensors. Here we suspend a graphene monolayer on SiO2 nanopillar arrays to form a puckered graphene-on-lattice and investigate the strain and electrical transport at the nanoscale. Despite a nonuniform strain in the graphene-on-lattice, the resistivity is governed by thermally activated transport and not the strain. We show that the high thermal activation energy results from a low charge carrier density and a periodic change of the chemical potential induced by the interaction of the graphene monolayer with the nanopillars, making the use of graphene-on-lattice attractive to further increase the electrical response of graphene sensors.