3D atomic-scale investigation of carbon segregation in phosphorus co-implanted silicon - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2019

3D atomic-scale investigation of carbon segregation in phosphorus co-implanted silicon

P. Dumas
STMicroelectronics [Crolles]
Groupe de physique des matériaux
Sébastien Duguay
Groupe de physique des matériaux
CV
J. Borrel
STMicroelectronics [Crolles]
A. Gauthier
STMicroelectronics [Crolles]
E. Ghegin
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
D. Blavette
Groupe de physique des matériaux
CV

Domaines

Matière Condensée [cond-mat] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-02298943

Soumis le : vendredi 27 septembre 2019-12:12:00

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03

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Dates et versions

hal-02298943 , version 1 (27-09-2019)

Identifiants

Citer

P. Dumas, Sébastien Duguay, J. Borrel, A. Gauthier, E. Ghegin, et al.. 3D atomic-scale investigation of carbon segregation in phosphorus co-implanted silicon. Applied Physics Letters, 2019, 115 (13), pp.132103. ⟨10.1063/1.5121629⟩. ⟨hal-02298943⟩

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