An Extraction Method of SiC Power MOSFET Threshold Voltage - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02295944 , version 1 (24-09-2019)

Identifiants

Citer

Ahmed Eloualkaki, Pascal Dherbécourt, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi, Wadia Jouha. An Extraction Method of SiC Power MOSFET Threshold Voltage. 3rd International Conference on Electrical and Information Technologies, Nov 2017, Rabat, Morocco. ⟨10.1007/978-3-030-05276-8_2⟩. ⟨hal-02295944⟩
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