Article Dans Une Revue
International Journal of Information Science & Technology
Année : 2019
pascal dherbecourt : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02295925
Soumis le : mardi 24 septembre 2019-15:46:56
Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02295925 , version 1
- DOI : 10.57675/IMIST.PRSM/ijist-v3i1.44
Citer
Wadia Jouha, Pascal Dherbécourt, Ahmed El Oualkadi, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi. An Improved SPICE Model for the Study of Electro-thermal Static Behavior for two New Generations of SiC MOSFET. International Journal of Information Science & Technology, 2019, ⟨10.57675/IMIST.PRSM/ijist-v3i1.44⟩. ⟨hal-02295925⟩
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